Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.2
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
20
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
5.8@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6.8@4.5V|15.5@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
15.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1037@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3100
Typische Abfallzeit (ns)
4.3
Typische Anstiegszeit (ns)
3.3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
18
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
4.7@10V|7.7@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5
Verpackungsbreite
3.9
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Bestellmenge