HF-MOSFETs

3SK294(TE85L,F)

Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R

Toshiba

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single Dual Gate

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  12.5

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±8

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.03

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  2.5@6V

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  0.02@6V

• Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S)

  0.0235

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  100

• Typischer Leistungsgewinn (dB)

  26

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  125

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.95

• Verpackungsbreite

  1.25

• Verpackungslänge

  2

• Leiterplatte geändert

  4

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  USQ

• Stiftanzahl

  4