MOSFETs

2SK4002(Q)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2 Bag

Toshiba

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  600

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±30

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  2

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  5000@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  9@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  9

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  380@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  20000

• Typische Abfallzeit (ns)

  20

• Typische Anstiegszeit (ns)

  15

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Bag

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  5.5 mm

• Verpackungsbreite

  2.3 mm

• Verpackungslänge

  6.5 mm

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  PW-Mold2

• Stiftanzahl

  3