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Bipolar Transistoren General Porpose

2SB1202S-TL-E

Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

onsemi
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Obsolete
  • HTS
    8541.29.00.75
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    PNP
  • Kategorie
    Bipolar Power
  • Konfiguration
    Single
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)
    60
  • Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
    50
  • Max. Emitter-Basis-Spannung (V)
    6
  • Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    1.2@100mA@2A
  • Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    0.7@100mA@2A
  • Max. DC-Kollektorstrom (A)
    3
  • Mindestgleichstromverstärkung
    140@100mA@2V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    1000
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    2.3
  • Verpackungsbreite
    5.5
  • Verpackungslänge
    6.5
  • Leiterplatte geändert
    2
  • Tab
    Tab
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    DPAK
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Gull-wing

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen