Bipolar Transistoren General Porpose
2SB1202S-TL-E
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
onsemiProduktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.75
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Typ
PNP
Kategorie
Bipolar Power
Konfiguration
Single
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)
60
Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
50
Max. Emitter-Basis-Spannung (V)
6
Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)
1.2@100mA@2A
Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
0.7@100mA@2A
Max. DC-Kollektorstrom (A)
3
Mindestgleichstromverstärkung
140@100mA@2V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1000
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.3
Verpackungsbreite
5.5
Verpackungslänge
6.5
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
DPAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing

