Bipolar Transistoren General Porpose

2SAR512RTL

Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R

ROHM Semiconductor

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  PNP

• Kategorie

  Bipolar Power

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  30

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  30

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  6

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.4@35mA@700mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  2

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  1000

• Mindestgleichstromverstärkung

  200@100mA@2V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.95(Max)

• Verpackungsbreite

  1.8(Max)

• Verpackungslänge

  3(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Lieferantenverpackung

  TSMT

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing