Bipolar Transistoren General Porpose

2SA2040-E

Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag

onsemi

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  COMPONENTS

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  PNP

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  50

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  50

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  6

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.2@40mA@2A

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.39@175mA@3.5A|0.4@40mA@2A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  8

• Mindestgleichstromverstärkung

  200@500mA@2V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Bag

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  5.5

• Verpackungsbreite

  2.3

• Verpackungslänge

  6.5

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  IPAK

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole