The ON Semiconductor MOSFET have been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. This product can deliver pulsed currents up to 2A. The maximum Drain Source Voltage of the product is 60 V and Gate Source Voltage is ±20 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. It has 1 number of elements per chip. This MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 150°C.
Features and Benefits:
• High Density Cell Design for Low RDS(ON)
• Voltage Controlled Small Signal Switch
• Rugged and Reliable
• High Saturation Current Capability
Application:
• Small servo motor control
• Power MOSFET gate drivers
Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
Part Status
Active
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Small Signal
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.115
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
7500@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
1@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
1
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
20@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
4@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
11
Max. Leistungsaufnahme (mW)
200
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
1200@10V|1700@5V
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
0.8
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.88
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4.5
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.5
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
2.1
Bestellmenge