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MOSFETs

2N7000-G

Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

Microchip Technology
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Material
    Si
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    60
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±30
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    3
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    0.2
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    5000@10V
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    60(Max)@25V
  • Typische Ausgangskapazität (pF)
    25(Max)
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    1000
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Bag
  • Befestigung
    Through Hole
  • Verpackungshöhe
    5.33(Max)
  • Verpackungsbreite
    4.19(Max)
  • Verpackungslänge
    5.21(Max)
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    TO-92
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Formed
Bestellmenge

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen