Bipolar Transistoren General Porpose

2N5681

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Microchip Technology

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.10.00.80

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  100

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  100

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  4

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.1@25mA@250mA|1.3@50mA@500mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.6@25mA@250mA|1@50mA@500mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  1

• Mindestgleichstromverstärkung

  40@0.25A@2V|20@500mA@2V|5@1A@2V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Verpackung

  Bag

• Durchmesser

  9.4(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  6.6(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-39

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole