Bipolar Transistoren General Porpose

2N5681 PBFREE

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-39

Central Semiconductor

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  100

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  100

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  4

• Operating Junction Temperature (°C)

  -65 to 200

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.6@25mA@250mA|1@50mA@500mA|2@200mA@1A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  1

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  1000

• Mindestgleichstromverstärkung

  5@1A@2V|40@250mA@2V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Durchmesser

  9.4(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  6.6(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-39

• Stiftanzahl

  3