Bipolar Transistoren General Porpose

2N5416 PBFREE

Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box

Central Semiconductor

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  PNP

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  350

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  300

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  6

• Operating Junction Temperature (°C)

  -65 to 200

• Maximum Base Current (A)

  0.5

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.5@5mA@50mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  2@5mA@50mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  1

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  50000

• Mindestgleichstromverstärkung

  30@50mA@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Verpackung

  Box

• Durchmesser

  8.96

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  6.35

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-39

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole