Ein nicht-löschbarer Random-Access-Speicher (Nonvolatile Random Access Memory, NVRAM) ist jede kontaktlose Speichertechnologie, die Informationen nach dem Ausschalten behält. Normalerweise bezieht sich NVRAM nicht auf elektromechanische Speichergeräte wie Festplattenlaufwerke. Die überwiegende Form von NVRAM sind heute weitgehend Flash-Speicher.

Früher befanden sich NVRAM-Geräte hinsichtlich Geschwindigkeit und Leistung hinter volatilen Speichern. Obwohl diese Lücke mittels Flash-Speichern weitgehend geschlossen wurde, bleibt noch immer viel zu verbessern. Die relativ langsame Schreibleistung von Flash-Speichern (zehn Mikrosekunden) ist im Vergleich zu DRAM (zehn Nanosekunden) und SRAM (Nanosekunden) verbesserungswürdig. Außerdem besitzt ein Floating-Gate auch eine gewisse Anzahl von tolerierbaren Schreibvorgängen, bevor sie unverlässlich werden. Dieses Phänomen kennt man auch unter Schreibbeständigkeit. Es kann je nach Flash-Technologie zwischen nur einigen Tausend Zyklen und über einer Million Zyklen variieren.

Es gibt neben Flash-Speichern noch andere NVRAM-Technologien. Im Moment sind diese jedoch hinsichtlich Kapazität und Kosten noch im Hintertreffen. Ferroelektrische RAM (FeRAM) verwenden elektrische Felder, um den Dipol-Moment eines dünnen Films einzustellen. Magnetische RAM (MRAM) speichern Informationen mittels Kontrolle des Elektronen-Spin, das bei der Ausführung von Lesevorgängen Widerstand erzeugt. Phasechange-Range (PRAM) verwendet dieselbe Technologie wie beschreibbare CDS und DVDs. PRAM liest jedoch auch die Erkennung des Wechsels im Widerstand.