Dünnschichttransistoren sind spezielle Feldeffekttransistoren, die vom Aufbau normaler Feldeffekttransistoren abweichen. Sie werden hergestellt, indem ein Kanalmaterial auf einen Isolator (meistens Glas) aufgebracht wird. Das aufgebrachte Material ist üblicherweise Silizium, das normalerweise die Grundstruktur von transistorlosen Bauteilen ausmacht. Auf diese dünne Siliziumschicht werden die restlichen Bauteile des Dünnschichttransistors gegeben, einschließlich dielektrischer Bauteile sowie Source- und Drainkontakte.

Bei Dünnschichttransistor-Anzeigenmodulen ist ein Transistor mit jedem Pixel verbunden. Da die Gesamtgröße des Dünnschichttransistors im Vergleich zur Gesamtgröße des von ihm gesteuerten Pixels sehr klein ist, wird die Hintergrundbeleuchtung nur leicht blockiert, die durch die einzelnen Pixel der Anzeige hindurchscheint. Dies wird ausschließlich dadurch erreicht, dass die dünne Substratschicht in allen transistorlosen Bereichen (die größte Fläche der Anzeige) frei von Silizium ist, so dass Licht ungehindert durch die Glasbasis des Transistors hindurchscheinen kann. Würde das Substrat aus Silizium bestehen, wäre es lichtundurchlässig und die Anzeige nicht funktionsfähig.