Ein Sperrschicht-Feldeffekttransistor (Junction Gate Field Effect Transistor, JFETs) verwendet eine diodenähnliche Struktur zwischen dem Gate und dem Abfluss zum Quellkanal.  Es handelt sich um einen einfachen Feldeffekttransistor, der mit einem n- oder p-Dotiermittel dotiert wird.  Auf der anderen Seite des Transistors wird ein gegensätzliches Dotiermittel eingesetzt, um eine pn-Verbindung zu bilden.  Dies dient sowohl als Mechanismus zur Steuerung des Stromflusses durch den Transistor als auch um dem Gerät eine hohe Eingangsimpedanz zu bieten, solange die Gate-Spannung richtig gepolt ist.  Wie bei einer Diode kann eine falsche Polung in einem JFETs zu einem unerwünschten Stromstoß durch das Gate führen.

Wenn die Quelle und das Gate die gleiche Spannung haben, kommt es zu einem ungehinderten Stromfluss durch den Transistor, bis zu den Toleranzen des Halbleiterkanals.  Bei einem n-Transistor kann eine negative Gate-Quellenspannung an das Gate angelegt werden, wodurch der Stromfluss abgesperrt wird, bis ein kritischer Punkt erreicht wird, an dem sich eine Sperrschicht im gesamten Transistorkanal gebildet hat.  Dadurch wird der Stromfluss vom Abfluss zur Quelle effektiv abgeschaltet. Dies wird als Abklemmungswert der Spannung bezeichnet und kann sich je nach Transistor unterscheiden.  JFETs-Geräte vom Typ p haben die gleichen Reaktionen, jedoch auf eine positive Gate-zu-Quellenspannung, wodurch eine ähnliche Sperrschicht im gegensätzlich dotierten Kanal dieser Geräte entsteht.