MOSFET

NDS9407

Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R

onsemi

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Prozesstechnologie

  0.6um

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  60

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  3

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  150@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  16@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  16

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  732@30V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2500

• Typische Abfallzeit (ns)

  10

• Typische Anstiegszeit (ns)

  11

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  10

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  8

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.5(Max)

• Verpackungsbreite

  3.9

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  SOIC

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  Gull-wing