Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
600
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±30
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
30.8
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
109@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
105@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
105
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
3000@300V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
240000
Typische Abfallzeit (ns)
8.5
Typische Anstiegszeit (ns)
80
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.85
Verpackungsbreite
8
Verpackungslänge
8
Leiterplatte geändert
5
Standard-Verpackungsname
DFN
Lieferantenverpackung
DFN EP
Stiftanzahl
5