DRAM
IS45S16320F-6TLA1-TR
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Automotive AEC-Q100
Integrated Silicon Solution IncProduktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
LTB
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Typ
SDRAM
Dichte (bit)
512M
Organisation
32Mx16
Zahl der internen Banken
4
Anzahl der Worte pro Bank
8M
Anzahl der Bits pro Wort (bit)
16
Datenbusbreite (bit)
16
Max. Taktfrequenz (MHz)
167
Max. Zugriffzeit (ns)
5.4|6
Adressbusbreite (bit)
15
Schnittstellenart
LVTTL
Mindestbetriebsspannung (V)
3
Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
3.6
Max. Betriebsstrom (mA)
180
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
85
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
16
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
10.16
Verpackungslänge
22.22
Leiterplatte geändert
54
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSOP-II
Stiftanzahl
54

