Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quint Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.9
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
295
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1.4@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
150@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
150
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
7437@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
231000
Typische Abfallzeit (ns)
51
Typische Anstiegszeit (ns)
62
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
78
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
18
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
1.1@10V|1.7@6V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.83(Max)
Verpackungsbreite
9.65(Max)
Verpackungslänge
10.67(Max)
Leiterplatte geändert
6
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
7

