Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
500
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
3.6
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2200@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
20(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
20(Max)
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
810@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
78000
Typische Abfallzeit (ns)
17
Typische Anstiegszeit (ns)
22
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
24
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
14
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.02(Max)
Verpackungsbreite
4.83(Max)
Verpackungslänge
10.67(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole