产品技术规范
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Dual Dual Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N, P
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
5.4@N Channel, 4@P Channel
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
34@10V@N Channel, 68@10V@P Channel
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
10.3@4.5V, 20.8@10V@N Channel, 9.5@4.5V, 18.1@10V@P Channel
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
20.8@N Channel, 18.1@P Channel
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1159@30V@N Channel, 930@30V@P Channel
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2000
Typische Abfallzeit (ns)
18@N Channel, 44@P Channel
Typische Anstiegszeit (ns)
25@N Channel, 28@P Channel
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
18@N Channel, 44@P Channel
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
7.4@N Channel, 4@P Channel
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
5.75
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
DFN
Lieferantenverpackung
PDFN EP
Stiftanzahl
8
订单数量