产品技术规范
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
EA
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Hex Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
650
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±30
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
18
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
1000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
2
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
155@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
29@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
29
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1635@300V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
150000
Typische Abfallzeit (ns)
4
Typische Anstiegszeit (ns)
16
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.3
Verpackungsbreite
10.38
Verpackungslänge
9.9
Leiterplatte geändert
8
Tab
Tab
Lieferantenverpackung
TOLL
Stiftanzahl
9