产品技术规范
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
50
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
18@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
44.5@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
44.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1300@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
110000
Typische Abfallzeit (ns)
15
Typische Anstiegszeit (ns)
50
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
36
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
20
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.15(Max)
Verpackungsbreite
4.6(Max)
Verpackungslänge
10.4(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole