产品技术规范
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Prozesstechnologie
2700nm
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
5.3
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
10000000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
95@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
15.3@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
15.3
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
700@30V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
5000
Typische Abfallzeit (ns)
33
Typische Anstiegszeit (ns)
24
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
26
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1(Max)
Verpackungsbreite
1.65
Verpackungslänge
3.05
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSOP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
Gull-wing