产品技术规范
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
28
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
41@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
54@4.5V|106@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
106
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
4600@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
5200
Typische Abfallzeit (ns)
100
Typische Anstiegszeit (ns)
20|160
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
100|110
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
42|15
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.07(Max)
Verpackungsbreite
5.89
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
PowerPAK SO EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead