MOSFETs

PMN120ENEX

Trans MOSFET N-CH 60V 2.4A 6-Pin TSOP T/R

Nexperia

产品技术规范

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Obsolete

• Code HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Quad Drain

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  60

• Tension minimale de source barrière (V)

  20

• Courant de drain continu maximal (A)

  2.4

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  123@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  5.9@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  5.9

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  275@30V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  1400

• Temps de descente type (ns)

  6

• Temps de montée type (ns)

  9

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  16

• Délai type de mise en marche (ns)

  6

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1(Max)

• Largeur du paquet

  1.7(Max)

• Longueur du paquet

  3.1(Max)

• Carte électronique changée

  6

• Nom de lemballage standard

  SO

• Conditionnement du fournisseur

  TSOP

• Décompte de broches

  6