产品技术规范
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
250
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
110
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
200
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
5
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
26@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
157@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
157
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
9400@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
694000
Typische Abfallzeit (ns)
27
Typische Anstiegszeit (ns)
27
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
60
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
19
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
21.46(Max)
Verpackungsbreite
5.3(Max)
Verpackungslänge
16.26(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-247AD
Stiftanzahl
3
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订单数量

