MOSFETs

ISC019N10NM8SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 26A

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  26

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  1.93@15V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  106@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  106

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  6800@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  3000

• Typische Abfallzeit (ns)

  13

• Typische Anstiegszeit (ns)

  4.4

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  36

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  17

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Family/Series

  ISC019N10NM8SC

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863