产品技术规范
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
80
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.2
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
26
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1.9@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
60@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
60
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
10.7
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
19.5
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
27
Typische Schaltladung (nC)
18.1
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
4333@40V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
24@40V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2.3
Typische Ausgangskapazität (pF)
1757
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
7.5
Typische Anstiegszeit (ns)
5.3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
28
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
11
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
1.9@7V, 1.7@10V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
3
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
836
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
50
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.85
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4.5
Typische Sperrerholungszeit (ns)
40
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
2.8
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
26
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
5.48
Verpackungslänge
5.15
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
TDSON EP
Stiftanzahl
8
订单数量