DRAM 芯片

IS46TR16512BL-125KBLA1

DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA Automotive AEC-Q100

Integrated Silicon Solution Inc

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.36

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Yes

• Typ

  DDR3L SDRAM

• Dichte (bit)

  8G

• Organisation

  512Mx16

• Zahl der internen Banken

  8

• Anzahl der Worte pro Bank

  64M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  16

• Datenbusbreite (bit)

  16

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  1600

• Adressbusbreite (bit)

  19

• Mindestbetriebsspannung (V)

  1.283

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  1.45

• Max. Betriebsstrom (mA)

  198

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  95

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  16

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1(Max)

• Verpackungsbreite

  10

• Verpackungslänge

  14

• Leiterplatte geändert

  96

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TW-BGA

• Stiftanzahl

  96

• Leitungsform

  Ball