DRAM 芯片

IS43R32160D-5BL-TR

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 2.6V 144-Pin LFBGA T/R

Integrated Silicon Solution Inc

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.28

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  DDR SDRAM

• Dichte (bit)

  512M

• Organisation

  16Mx32

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  4M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  32

• Datenbusbreite (bit)

  32

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  200

• Max. Zugriffzeit (ns)

  0.7

• Adressbusbreite (bit)

  15

• Schnittstellenart

  SSTL_2

• Mindestbetriebsspannung (V)

  2.5

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  2.7

• Max. Betriebsstrom (mA)

  590

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  0

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  70

• Temperaturbereich Lieferant

  Commercial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  32

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.02(Max)

• Verpackungsbreite

  12

• Verpackungslänge

  12

• Leiterplatte geändert

  144

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  LFBGA

• Stiftanzahl

  144

• Leitungsform

  Ball