DRAM 芯片

IS42VM16800H-75BLI-TR

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA T/R

Integrated Silicon Solution Inc

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.02

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  Mobile SDRAM

• Dichte (bit)

  128M

• Organisation

  8Mx16

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  2M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  16

• Datenbusbreite (bit)

  16

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  133

• Max. Zugriffzeit (ns)

  8|6

• Adressbusbreite (bit)

  14

• Schnittstellenart

  LVCMOS

• Mindestbetriebsspannung (V)

  1.7

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  1.95

• Max. Betriebsstrom (mA)

  55

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  16

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.8

• Verpackungsbreite

  8

• Verpackungslänge

  8

• Leiterplatte geändert

  54

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TFBGA

• Stiftanzahl

  54