DRAM 芯片
IS42S32160F-7BLI
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
Integrated Silicon Solution Inc产品技术规范
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8542.32.00.28
Automotive
No
PPAP
No
Typ
SDRAM
Dichte (bit)
512M
Organisation
16Mx32
Zahl der internen Banken
4
Anzahl der Worte pro Bank
4M
Anzahl der Bits pro Wort (bit)
32
Datenbusbreite (bit)
32
Max. Taktfrequenz (MHz)
143
Max. Zugriffzeit (ns)
5.4
Adressbusbreite (bit)
15
Schnittstellenart
LVTTL
Mindestbetriebsspannung (V)
3
Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
3.6
Max. Betriebsstrom (mA)
230
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
85
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
32
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.8(Max)
Verpackungsbreite
8
Verpackungslänge
13
Leiterplatte geändert
90
Standard-Verpackungsname
BGA
Lieferantenverpackung
TFBGA
Stiftanzahl
90
Leitungsform
Ball