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DRAM 芯片

IS42S32160F-7BLI

DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA

Integrated Silicon Solution Inc
数据表 

产品技术规范
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8542.32.00.28
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    SDRAM
  • Dichte (bit)
    512M
  • Organisation
    16Mx32
  • Zahl der internen Banken
    4
  • Anzahl der Worte pro Bank
    4M
  • Anzahl der Bits pro Wort (bit)
    32
  • Datenbusbreite (bit)
    32
  • Max. Taktfrequenz (MHz)
    143
  • Max. Zugriffzeit (ns)
    5.4
  • Adressbusbreite (bit)
    15
  • Schnittstellenart
    LVTTL
  • Mindestbetriebsspannung (V)
    3
  • Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
    3.6
  • Max. Betriebsstrom (mA)
    230
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -40
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    85
  • Temperaturbereich Lieferant
    Industrial
  • Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
    32
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.8(Max)
  • Verpackungsbreite
    8
  • Verpackungslänge
    13
  • Leiterplatte geändert
    90
  • Standard-Verpackungsname
    BGA
  • Lieferantenverpackung
    TFBGA
  • Stiftanzahl
    90
  • Leitungsform
    Ball

文档和资源

数据表
设计资源