DRAM 芯片

IS42S16400J-5TL

DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Integrated Silicon Solution Inc

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8542.32.00.02

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  SDRAM

• Dichte (bit)

  64M

• Organisation

  4Mx16

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  1M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  16

• Datenbusbreite (bit)

  16

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  200

• Max. Zugriffzeit (ns)

  5.4|4.8

• Adressbusbreite (bit)

  14

• Prozesstechnologie

  72nm

• Schnittstellenart

  LVTTL

• Mindestbetriebsspannung (V)

  3

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  3.6

• Max. Betriebsstrom (mA)

  110

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  0

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  70

• Temperaturbereich Lieferant

  Commercial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  16

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1 mm

• Verpackungsbreite

  10.16 mm

• Verpackungslänge

  22.22 mm

• Leiterplatte geändert

  54

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  TSOP-II

• Stiftanzahl

  54

• Leitungsform

  Gull-wing