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MOSFETs

IRLML6401TRPBF

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Infineon Technologies AG
数据表 

The ON Semiconductor MOSFET is a P channel MOSFET transistor. Its maximum power dissipation is 1300 mW. The maximum Drain Source Voltage of the product is 12 V and Gate Source Voltage is ±8 V. This MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 150°C.

Features and Benefits:
• Ultra Low On-Resistance
• P-Channel MOSFET
• SOT-23 Footprint
• Low Profile
• Fast Switching
• Lead-Free
• RoHS Compliant
• Halogen-Free

Application:
• Portable electronics
• PCMCIA cards

产品技术规范
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Obsolete
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    P
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    12
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±8
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    0.95
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Courant de drain continu maximal (A)
    4.3
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    50@4.5V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    10@5V
  • Barrière type pour drainer la charge (nC)
    2.6
  • Barrière type à la source de la charge (nC)
    1.4
  • Charge de récupération inverse type (nC)
    8
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    830@10V
  • Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
    125@10V
  • Tension seuil de barrière minimale (V)
    0.4
  • Capacitance type de sortie (pF)
    180
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1300
  • Temps de descente type (ns)
    210
  • Temps de montée type (ns)
    32
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    250
  • Délai type de mise en marche (ns)
    11
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    75@2V, 47@3V, 39@4V, 34.5@5V, 33@6V, 32@7V
  • Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
    34
  • Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
    100
  • Tension de plateau de barrière type (V)
    1.7
  • Temps inverse de recouvrement type (ns)
    22
  • Tension maximale directe de diode (V)
    1.2
  • Tension seuil de barrière type (V)
    0.55
  • Tension maximale de source barrière positive (V)
    8
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.95
  • Largeur du paquet
    1.3
  • Longueur du paquet
    2.92
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-23
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Gull-wing

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