产品技术规范
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Obsolete
Code HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single Dual Drain
Mode canal
Enhancement
Type de canal
P
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
100
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
0.7
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
1200@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
8.7(Max)@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
8.7(Max)
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
200@25V
Dissipation de puissance maximale (mW)
1300
Temps de descente type (ns)
17
Temps de montée type (ns)
27
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
15
Délai type de mise en marche (ns)
10
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
3.37(Max)
Largeur du paquet
6.29(Max)
Longueur du paquet
5(Max)
Carte électronique changée
4
Nom de lemballage standard
DIP
Conditionnement du fournisseur
HVMDIP
Décompte de broches
4
Forme de sonde
Through Hole