MOSFETs

IRFB7530PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  60

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3.7

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  295

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  2@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  274@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  274

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  13703@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  375000

• Typische Abfallzeit (ns)

  104

• Typische Anstiegszeit (ns)

  141

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  172

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  52

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tube

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  1.65@10V, 2.1@6V

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  9.02(Max)

• Verpackungsbreite

  4.83(Max)

• Verpackungslänge

  10.67(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-220AB

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole

• Family/Series

  IRFB7530

• ALIAS

  SP001575524

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• Quantity Packaging

  1000