MOSFETs

IQFH55N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 53A 12-Pin TSON EP T/R

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  EA

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Hex Drain Quint Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  40

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  53

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  0.55@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  118@10V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  8200@20V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  3000

• Typische Abfallzeit (ns)

  15

• Typische Anstiegszeit (ns)

  92

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  44

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  14

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.05(Max)

• Verpackungsbreite

  6

• Verpackungslänge

  8

• Leiterplatte geändert

  12

• Lieferantenverpackung

  TSON EP

• Stiftanzahl

  12