MOSFETs

IPI60R165CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  NRND

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  600

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3.5

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  21

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  165@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  39@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  39

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  2000@100V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  192000

• Typische Abfallzeit (ns)

  5

• Typische Anstiegszeit (ns)

  5

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  50

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  12

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tube

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  9.25

• Verpackungsbreite

  4.4

• Verpackungslänge

  10

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-262

• Stiftanzahl

  3