IGBT 芯片

IKW50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Technologie

  Trench Stop 5

• Kanalart

  N

• Konfiguration

  Single

• Max. Gate-Emitter-Spannung (V)

  ±20

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  650

• Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.35

• Max. Kollektordauerstrom (A)

  80

• Max. Gate-Emitter-Leckstrom (uA)

  0.1

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  274

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tube

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  20.95

• Verpackungsbreite

  5.02

• Verpackungslänge

  15.94

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-247

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole