MOSFETs

IGLT65R035D2ATMA1

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  GaN

• Konfiguration

  Single Octal Drain Seven Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  650

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  -10(Min)

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  48

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  42

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  7.7@3V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  540@400V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  154000

• Typische Abfallzeit (ns)

  11

• Typische Anstiegszeit (ns)

  10

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  15

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  11

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.3

• Verpackungsbreite

  10.1

• Verpackungslänge

  9.9

• Leiterplatte geändert

  16

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  HDSOP EP

• Stiftanzahl

  16