MOSFETs

IGC033S10S1XTMA1

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Unconfirmed

• HTS

  8541.21.00.95

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  GaN

• Konfiguration

  Single Dual Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  5.5

• Operating Junction Temperature (°C)

  -40 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  21

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  3.3@5V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  11@5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1200@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  3300

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.98(Max)

• Verpackungsbreite

  3

• Verpackungslänge

  5

• Leiterplatte geändert

  6

• Lieferantenverpackung

  TSON

• Stiftanzahl

  6