MOSFETs

FDMQ8403

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.1A 12-Pin WDFN EP T/R

onsemi

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Quad

• Prozesstechnologie

  0.18um to 2um

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  4

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  3.1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  110@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  1.7@5V, 3@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  3

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  162@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1900

• Typische Abfallzeit (ns)

  1.8

• Typische Anstiegszeit (ns)

  1.2

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  7.2

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  4.1

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.75(Max)

• Verpackungsbreite

  4.5

• Verpackungslänge

  5

• Leiterplatte geändert

  12

• Lieferantenverpackung

  WDFN EP

• Stiftanzahl

  12

• Leitungsform

  No Lead