表面贴装电感器

DFE252012F-R82M=P2

Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.82uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.035Ohm DCR 1008 T/R

Murata Manufacturing

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8504.50.80.00

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  Power Chip

• Technologie

  Wirewound

• Schutzart

  Shielded

• Kernmaterial

  Metal

• Induktanz (H)

  0.82u

• Toleranz

  20%

• Induktanztestfrequenz (Hz)

  1M

• Max. Gleichstrom (A)

  3.6

• Max. Sättigungsstrom (A)

  4.9

• Max. DC-Widerstand (Ohm)

  0.035

• Anzahl der Anschlüsse

  2

• Gehäusegröße

  1008

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  125

• Verpackung

  Tape and Reel

• Produktlänge (mm)

  2.7

• Befestigung

  Surface Mount

• Produkttiefe (mm)

  2.2

• Produkthöhe (mm)

  1.2