MOSFETs

BUK9M85-60EX

Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101

Nexperia

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  60

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  10

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.1

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  12.8

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  73@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  4.4@5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  326@25V

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  30@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  31000

• Typische Abfallzeit (ns)

  5.2

• Typische Anstiegszeit (ns)

  8.4

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  6.8

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  5.4

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.9(Max)

• Verpackungsbreite

  2.6

• Verpackungslänge

  3.4(Max)

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  FPAK

• Lieferantenverpackung

  LFPAK EP

• Stiftanzahl

  8

• Family/Series

  BUK9M85-60E

• ALIAS

  BUK9M85-60EX, 934070043115

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863

• MSL

  1