产品技术规范
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
10
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.1
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
17
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
46@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6@5V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
514@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
34@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
36000
Typische Abfallzeit (ns)
6.5
Typische Anstiegszeit (ns)
7.6
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
9.9
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.9(Max)
Verpackungsbreite
2.6
Verpackungslänge
3.4(Max)
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
FPAK
Lieferantenverpackung
LFPAK EP
Stiftanzahl
8