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Dev Kit

BT158W-1200TQ

SCR Diode 1200V 126A(RMS) 1210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

WeEn Semiconductors Co., Ltd
数据表 

产品技术规范
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Taux maximal de montée de la tension à l'arrêt (V/us)
    1500(Min)
  • Taux maximal de montée de la tension en marche (A/us)
    150
  • Tension maximale de déclenchement de barrière (V)
    1
  • Courant maximal de déclenchement de barrière (mA)
    70
  • Courant nominal de surtension (A)
    1210
  • Courant de maintien maximal (mA)
    200
  • Tension inverse de crête répétitive (V)
    1200
  • Tension inverse de crête maximal de barrière (V)
    5
  • Tension de crête en marche (V)
    1.65@160A
  • Tension de blocage avant répétitive en crête (V)
    1200
  • Courant nominal moyen en marche (A)
    80
  • Courant RMS en marche (A)
    126
  • Courant de crête répétitif à l'arrêt (mA)
    3
  • Courant de verrouillage maximal (mA)
    300
  • Dissipation de puissance de crête de barrière (W)
    20
  • Dissipation de puissance moyenne de barrière (W)
    1
  • Considérations relatives aux fusibles de circuit (A²S)
    6115
  • Commande de phase
    No
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -40
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    21.1(Max)
  • Largeur du paquet
    5.2(Max)
  • Longueur du paquet
    15.9(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Onglet
    Tab
  • Conditionnement du fournisseur
    TO-247
  • Décompte de broches
    3

文档和资源

数据表
设计资源