MOSFETs

BSS169H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• Part Status

  Active

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Small Signal

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Depletion

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  1.8

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.17

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  12000@0V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  2.1@7V

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  0.9

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  0.12

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  9.7

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  51@25V

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  9

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  360

• Typische Abfallzeit (ns)

  27

• Typische Anstiegszeit (ns)

  2.7

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  11

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  2.9

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  2900@10V|5300@0V