产品技术规范
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
EA
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.6
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
12
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
11@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
12.5@4.5V|25@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
25
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1725@50V
Typische Ausgangskapazität (pF)
360
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3100
Typische Abfallzeit (ns)
3.5
Typische Anstiegszeit (ns)
3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
23
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
9.2@10V|11.7@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5
Verpackungsbreite
3.9
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
订单数量