MOSFETs

AON2406

Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

Alpha and Omega Semiconductor

产品技术规范

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±8

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  1

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  8

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  12.5@4.5V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  12.5@4.5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1140@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2800

• Typische Abfallzeit (ns)

  7

• Typische Anstiegszeit (ns)

  3

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  37

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  2.7

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  10@4.5V|11.5@2.5V|14@1.8V|17@1.5V

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.55(Max)

• Verpackungsbreite

  2

• Verpackungslänge

  2

• Leiterplatte geändert

  6

• Standard-Verpackungsname

  DFN

• Lieferantenverpackung

  DFN-B EP

• Stiftanzahl

  6