伪静态 DRAM (PSRAM)，又称为蜂窝式 RAM，是用于移动电话的存储器装置的低功率系列。PSRAM 提供 SRAM 和闪速存储器接口。在 2000 年代初期到中期的前智能手机年代，PSRAM 旨在通过提供更廉价的每位成本缓存和缓冲式存储器解决方案取代 SRAM。PSRAM 部件的容量从若干兆比特 (Mb) 到几百 Mb。同步接口模式下的 PSRAM 的最高速度为 133MHz。

 

本质上，PSRAM 将 DRAM 单元包裹在 SRAM 或闪速存储器接口中。由于 DRAM 单元在尺寸上比 SRAM 单元小，所以它们生产起来更廉价。然而，DRAM 单元需要耗用还确保合适的数据保持且对用户不可见并由 PSRAM 自身管理。PSRAM 可在简单的异步 SRAM 接口模式下工作。其也可配置为支持 NOR 闪速存储器突发接口。PSRAM 甚至打造为兼容 SRAM 装置的接口

 

打造 PSRAM 的倡议由赛普拉斯半导体公司、美光科技公司、奇梦达公司、瑞萨电子公司、钰创科技公司和海力士半导体公司等公司领衔。该工作组自 2009 年以来已很大程度不在活跃。